Архив Семерка - Российский Правовой Портал



ПОДПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ, АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ (УТВЕРЖДЕНА 29.10.2003 ПОСТАНОВЛЕНИЕМ 20 СОВЕТА МИНИСТРОВ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА)

Документ с изменениями и дополнениями на 2 февраля 2008 года

архив


                                                            Утверждена
                                                        Постановлением
                                                      Совета Министров
                                                  Союзного государства
                                            от 29 октября 2003 г. N 20
   
                             ПОДПРОГРАММА
           СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ
          ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ, АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
           МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
                        И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"
   
         (Уточненная редакция выполняющейся в 2000 - 2003 гг.
         одноименной Подпрограммы, утвержденной Постановлением
           Исполнительного Комитета Союза Беларуси и России
                         от 12.02.1999 г. N 2)
   
                              1. Введение
   
       Радиоэлектронная  отрасль, как совокупность проектных,  научно-
   исследовательских   организаций  и  базовых   заводов-изготовителей
   высокоинтеллектуальной  продукции  и  элементной  базы,  включающая
   обеспечение  трудовыми, материальными, энергоресурсами,  социально-
   бытовой  сферой, является ведущей отраслью экономики как Республики
   Беларусь, так и Российской Федерации.
       Электронная      промышленность,     являющаяся     подотраслью
   радиоэлектронной  промышленности,  снабжает  элементной  базой   не
   только  радиоэлектронные отрасли в целом, но  и  другие  наукоемкие
   отрасли  промышленности  и  народного хозяйства  -  машиностроение,
   информатику,  транспорт, связь и т.д., обеспечивая  их  технический
   уровень и конкурентоспособность на мировом рынке и рынке СНГ.
       Для  успешной  интеграции  в мировое  экономическое  сообщество
   необходимо совместно развивать электронную промышленность в  России
   и  Беларуси  в  духе  Декларации о дальнейшем единении  Беларуси  и
   России от 25 декабря 1998 года.
       Важнейшим   инструментом   такой  политики   являются   научно-
   технические  программы  на основе органического  сочетания  научных
   разработок,   прикладных   исследований,   опытного   и   серийного
   производства элементной базы и законченных изделий.
       Данная   Подпрограмма  является  составной   частью   Программы
   "Создание   и   серийное  производство  автоматизированных   систем
   управления,  бортовой радиолокационной аппаратуры, изделий  бытовой
   радио-   и  электротехники",  одобренной  Решением  Исполнительного
   Комитета  Сообщества Беларуси и России от 4 сентября 1996  г.  N  4
   (п.   18   Перечня  совместных  межгосударственных   программ),   и
   обеспечивает  разработку  и  организацию  выпуска  элементной  базы
   нового класса, позволяющей создавать конкурентоспособные изделия  и
   аппаратуру,    расширить   объемы   товарных    потоков,    создать
   усовершенствованные  специализированные  системы   для   укрепления
   обороноспособности  Республики  Беларусь  и  Российской  Федерации,
   увеличить  объемы  валютных  поступлений,  в  значительной  степени
   решить проблему импортозамещения.
   
                         2. Цель Подпрограммы
   
       Целью Подпрограммы является:
       -  разработка  и  освоение  серий  цифровых,  цифро-аналоговых,
   аналоговых  микросхем  для  приоритетных  отраслей  промышленности,
   бытовой  техники и аппаратуры специального назначения  (планируется
   создание   широкого   спектра  интегральных  микросхем   различного
   функционального назначения);
       -   разработка  микросхем  для  изделий  спецтехники,   включая
   интегральные  схемы  (ИС)  повышенной  устойчивости  к  специальным
   факторам,    повышенной   помехозащищенности   и   надежности,    в
   соответствии  с реализуемыми и перспективными программами  создания
   систем  вооружений  и  военной техники (включая  автоматизированные
   системы управления и специальную бортовую аппаратуру);
       -   разработка  ряда  новых  технологий,  предназначенных   для
   создания   электронной   элементной  базы,   в   рамках   настоящей
   Подпрограммы.
       Подпрограмма  охватывает  сферу  проектирования   и   серийного
   освоения  изделий электронной техники (ИЭТ) двойного и специального
   назначения,   технологического  обеспечения.  Это  позволит   резко
   поднять   качество,   снизить   себестоимость,   уменьшить    сроки
   разработки    и    освоения   ИЭТ,   обеспечив   тем    самым    их
   конкурентоспособность  и  независимость  от  поставок  по  импорту,
   создать  новые, более совершенные промышленные, бытовые и оборонные
   системы.
   
                  3. Основные технические показатели
   
       В  ходе  реализации трех взаимосвязанных разделов  Подпрограммы
   планируется  разработка  целого  ряда  интегральных  схем  и  новых
   технологических процессов:
       1. микросхемы двойного назначения:
       микросхемы 8- и 16-разрядных микроконтроллеров, микросхемы  для
   цифровой   обработки   сигналов,   16/32   КМОП   микропроцессорный
   комплект, стандартные линейные микросхемы, серия контроллеров  ЖКИ,
   ряд  БМК емкостью от 10 до 100К вентилей, аналого-цифровая матрица,
   КМОП  статическое ОЗУ емкостью 1Мбит, БиКМОП аналого-цифровых  БМК,
   ряд  операционных усилителей и др. Всего планируется разработать  и
   освоить   39   типов   новых  микросхем   двойного   назначения   с
   техническими характеристиками, соответствующими мировому уровню;
       2. микросхемы специального назначения:
       КМОП  ПЗУ  емкостью  1М и 2М, устойчивые к спецфакторам,  серия
   быстродействующих  КМОП  логических  схем  типа  54АСТ.  Всего   по
   второму  разделу  планируется разработать  и  внедрить  в  серийное
   производство в РБ и РФ 42 типа микросхем;
       3.    новые    технологические    операции,    конструкции    и
   технологические процессы:
       новые  конструкции  и  технологические  процессы  изготовления,
   библиотеки    параметров    и   элементов    8    -    16-разрядных
   микроконтроллеров с проектными нормами от 0,7 до  1,2  мкм,  в  том
   числе  со  встроенными блоками ЭСППЗУ до 16Кбит, ПЗУ - до  256Кбит,
   ОЗУ  -  до 256 байт; технологию формирования структур типа  кремний
   на    изоляторе,   технологический   процесс   химико-механического
   полирования   межслойных  диэлектриков,  технологические   процессы
   планаризации,  блока  многослойной  металлизации  и  др.  По   всем
   заданиям  настоящего  раздела  планируется  достижение  технических
   параметров, соответствующих мировому уровню.
   
               4. Основные этапы выполнения Подпрограммы
   
       Подпрограмма  "База" утверждена Постановлением Исполкома  Союза
   Беларуси  и России от 12 февраля 1999 г. N 2. Согласно Подпрограмме
   сроки ее реализации - 2000 - 2003 годы.
       Плановые   и   фактические  объемы  бюджетного   финансирования
   Подпрограммы приведены в следующей Таблице.
   
                             тыс. российских рублей (в текущих ценах)
   ------T------------------------T------------------------T--------------¬
   ¦ Год ¦  План по Подпрограмме  ¦ Факт на 01.01.2003 г.  ¦Дата открытия ¦
   ¦     ¦  (в ценах мая 1998 г.) ¦                        ¦финансирования¦
   ¦     +-------T-------T--------+-------T-------T--------+              ¦
   ¦     ¦ Всего ¦Россия ¦Беларусь¦ Всего ¦Россия ¦Беларусь¦              ¦
   +-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
   ¦2000 ¦34860,0¦22260,0¦ 12600,0¦19156,6¦19156,6¦   -    ¦сентябрь      ¦
   +-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
   ¦2001 ¦30230,0¦20150,0¦ 10080,0¦45209,0¦30797,4¦ 14411,6¦март          ¦
   +-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
   ¦2002 ¦20150,0¦13740,0¦  6410,0¦20150,0¦11486,0¦  8664,0¦апрель        ¦
   +-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
   ¦2003 ¦ 7760,0¦ 5290,0¦  2470,0¦   -   ¦   -   ¦   -    ¦              ¦
   +-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
   ¦ВСЕГО¦93000,0¦61440,0¦ 31560,0¦84515,6¦61440,0¦ 23075,6¦              ¦
   L-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+---------------
   
       Из    Таблицы    следует,   что   на   01.01.2003   фактическое
   финансирование Подпрограммы составило 90,88% от номинальной  суммы,
   предусмотренной Подпрограммой.
       По  состоянию  на  1  января 2003 года уже выполнены  следующие
   работы:
       по приборной части Подпрограммы:
       завершены  этапы  разработки ТЗ и плановой документации  по  24
   ОКР,   этапы   разработки  эскизных  проектов  по  18  ОКР,   этапы
   разработки  технических  проектов  по  11  ОКР;  в  процессе  этого
   проведена   разработка  архитектуры,  алгоритмов  функционирования,
   математических    моделей   схем   электрических    принципиальных,
   топологии   разрабатываемых  микросхем,  верификация  проектов   на
   разработанных тестах;
       по  8  ОКР изготовлены и исследованы экспериментальные  образцы
   микросхем, в том числе:
       -  серия  из  8  типов стабилизаторов напряжения  положительной
   полярности с температурным диапазоном -45... +125-C,
       -  8-разрядный микроконтроллер с системой команд семейства MSC-
   51 и встроенным драйвером ЖКИ,
       -  серия  из  4  типов  КМОП  базовых  матричных  кристаллов  с
   количеством вентилей 10, 30, 60 и 100 тысяч,
       - драйверы матричного ЖКИ типа SED1670 и SED1606,
       -  серия  из  3  типов  БИС: нерекурсивного цифрового  фильтра,
   приемопередатчика манчестерского кода, автокомпенсатора,
       -  серия  из  40  типов быстродействующих КМОП  логических  ИС,
   устойчивых к спецфакторам (аналог серии 54АСТ),
       -  микропроцессорный  комплект из 2 типов  микросхем  -  16/32-
   разрядного  КМОП  процессора  (аналог 1801ВМ3)  и  32/64-разрядного
   КМОП  сопроцессора  обработки  чисел с  плавающей  запятой  (аналог
   1801ВМ4),   процессор   корреляционной  предобработки   спутниковых
   сигналов навигационной системы "ГЛОНАСС/НАВСТАР";
       - БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М;
       по  7  ОКР  разработаны рабочая документация и проекты  ТУ  для
   изготовления опытных партий;
       по 3 ОКР изготовлены и испытаны опытные образцы;
       2  ОКР  сданы  межведомственной комиссии в полном  объеме  и  в
   соответствии с ТЗ;
       по комплексу работ технологической части Подпрограммы:
       завершены  этапы  разработки ТЗ и плановой документации  по  11
   ОКР, этапы разработки технологических маршрутов - по 8 ОКР;
       изготовлены образцы пластин с тестовыми кристаллами уровня  0,5
   мкм;
       разработана    опытная   технология   глобальной   планаризации
   топологического рельефа при изготовлении СБИС с проектными  нормами
   0,5  мкм  и менее на основе применения процесса химико-механической
   полировки, проведены опытные партии;
       завершена и сдана межведомственной комиссии в полном объеме и в
   соответствии  с  ТЗ  ОКР  по  разработке технологических  процессов
   нанесения   диэлектрических  покрытий  и  планаризации  поверхности
   пластин;
       проведены  технологические исследования,  определена  структура
   технологических  процессов и разработаны  технологические  маршруты
   базовых технологий для выпуска:
       - высоковольтных (до 40 В) ИС;
       -  структур  типа кремний на изоляторе для расширенного  класса
   СБИС, включая быстродействующие и высоковольтные;
       -  универсальных КМОП микроконтроллеров с проектной нормой  0,8
   мкм;
       - библиотеки элементов микроконтроллеров с RISC архитектурой;
       - расширенной номенклатуры БиКМОП СБИС;
       -  СБИС специального и двойного применения с проектными нормами
   0,5 - 0,7 мкм;
       проведены  технологические исследования и  определены  основные
   параметры и структура следующих технологических процессов:
       - нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности
   пластин для базовой субмикронной технологии;
       -   химико-механической   полировки   топологического   рельефа
   технологических  структур  СБИС для базового  процесса  уровня  0,5
   мкм;
       -  формирования  многослойной  (3  -  4  слоя)  металлизации  с
   использованием планаризации жидким стеклом.
       Причинами к введению изменений в Подпрограмму и продлению срока
   ее реализации на один год являются:
       1.  Изменение  требований к номенклатуре и основным  параметрам
   СБИС, произошедшее за время с момента разработки Подпрограммы.
       2. Появление с 2002 года дублирующих работ, связанных с началом
   реализации  в  России  Федеральной целевой программы  "Национальная
   технологическая база".
       3.  Появление  с  2001 года дублирующих работ,  выполняемых  по
   Государственному оборонному заказу России.
       В   целях   учета  этих  изменений  и  координации  с   другими
   программами,  ведущимися  в данном направлении,  был  разработан  и
   согласован  с  заказывающими подразделениями  Министерства  обороны
   Российской  Федерации уточненный "Перечень изделий для включения  в
   план    работ    совместной   российско-белорусской    Подпрограммы
   "Разработка    и   освоение   серий   цифровых,   цифро-аналоговых,
   аналоговых   интегральных  микросхем  для  аппаратуры  специального
   назначения и двойного применения" (шифр "База")".
       В нем учтены требования разработчиков аппаратурных комплексов и
   систем,  создаваемых  по  заказам Министерства  обороны  Российской
   Федерации  и других министерств и ведомств, изменившиеся с  момента
   разработки Подпрограммы.
       4.  Существенное изменение с момента разработки Подпрограмм цен
   на  материалы, комплектующие, энергоносители и затрат на заработную
   плату в отрасли.
       5. Расчет расходов на Подпрограмму исходно был произведен во II
   квартале  1998  года (раздел 8 Подпрограммы). Поэтому,  в  связи  с
   высоким   уровнем   инфляции  за  прошедшие   4   года   выполнение
   Подпрограммы  в  полном  объеме  при запланированном  ранее  объеме
   финансирования невозможно по причине его недостаточности.
       С   учетом   сделанных   уточнений  выполнение   всех   заданий
   Подпрограммы  планируется на период с III кв. 2000  г.  по  IV  кв.
   2004   г.   с   объемом  ее  финансирования  из  бюджета   Союзного
   государства в 2003 году в размере 26984,0 тыс. руб. РФ,  а  в  2004
   году  -  в  размере  20016,0 тыс. руб. РФ, а также  с  привлечением
   собственных средств предприятий в размере 62556,0 тыс. руб. в  2003
   году, а в 2004 году - в размере 92277,0 тыс. руб.
       Предлагаемое  изменение  позволит выполнить  важнейшие  задания
   Подпрограммы  с  учетом  исключения  дублирования  работ   по   ФЦП
   "Национальная  технологическая база", заказа  Министерства  обороны
   России  и оптимальным образом реализовать в виде законченных  работ
   затраченные в 2000 - 2003 гг. средства на выполнение Подпрограммы.
       Задания  Подпрограммы  выполняются  в  виде  комплекса  опытно-
   конструкторских  работ  (ОКР),  результаты  которых  внедряются   в
   производство на предприятиях-исполнителях Подпрограммы.
   
                      5. Исполнители Подпрограммы
   
       Основными исполнителями Подпрограммы являются:
       от Российской Федерации:
       -  Научно-техническая ассоциация (НТА) "Субмикро" (г. Москва) -
   Головной   исполнитель  -  организационно-техническое   обеспечение
   проведения Подпрограммы, координация работ по Подпрограмме в  целом
   и контроль за ее исполнением;
       - ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г. Москва);
       от Республики Беларусь:
       - НПО "Интеграл" (г. Минск).
       К реализации основных заданий и этапов Подпрограммы планируется
   привлечение  более  20  отраслевых НИИ, КБ, заводов,  академических
   институтов и ВУЗов.
   
           6. Состав разрабатываемых интегральных микросхем
                      и технологических процессов
   
       Общая  характеристика  и перечень разрабатываемых  интегральных
   микросхем и технологических процессов представлены в разделе 9.
   
            7. Ожидаемые результаты реализации Подпрограммы
   
       В итоге реализации этапов и заданий Подпрограммы будут получены
   следующие основные результаты:
       1. На заводах электронной промышленности Республики Беларусь  и
   Российской     Федерации     будет    организовано     производство
   конкурентоспособной элементной базы для удовлетворения  потребности
   народного  хозяйства и обороны, наращивания экспортного потенциала,
   решения проблемы импортозамещения.
       2.   Будут   сохранены  и  созданы  новые   рабочие   места   в
   радиоэлектронной,    машиностроительной    и    других     отраслях
   промышленности.
       3.  Будут  разработаны, созданы опытные  образцы  и  освоены  в
   производстве  свыше 80 современных интегральных  схем  специального
   назначения   и  двойного  применения,  разработаны  и  внедрены   в
   производство    новые    технологические   процессы,    позволяющие
   многократно   повысить   степень  интеграции   и   эксплуатационные
   характеристики интегральных схем.
       4.   Будет  сохранен  и  получит  дальнейшее  развитие  научно-
   технический  потенциал электронной промышленности  двух  государств
   за счет объединения их усилий и финансовых средств.
       5. Планируемый объем реализации разработанных изделий только за
   два года (2004 - 2005 гг.) составит более 30 млн. дол. США.
       Реализация   Подпрограммы  позволит   Республике   Беларусь   и
   Российской     Федерации     организовать     производство     ряда
   конкурентоспособных  отечественных изделий  электронной  техники  и
   обеспечить их поставки на внутренний и внешний рынки.
   
                 8. Структура расходов на Подпрограмму
   
       Подпрограмма  финансируется на 38,2% за  счет  средств  бюджета
   Союза  Беларуси и России и Союзного государства, а на  61,8%  -  за
   счет  внебюджетных  средств. Средства бюджета Союзного  государства
   направляются  на выполнение ОКР. Внебюджетные средства направляются
   на    обеспечивающие   мероприятия   по   выполнению   ОКР   и   на
   финансирование    подготовки    производства    на    предприятиях-
   исполнителях Подпрограммы.
       Структура  расходов  на Подпрограмму в тыс.  российских  рублей
   приведена в Табл. 1.
   
                                                            Таблица 1
   ------------------------------T------T-----T-----T-----T-----T------¬
   ¦   Объемы и распределение    ¦Всего ¦2000 ¦2001 ¦2002 ¦2003 ¦ 2004 ¦
   ¦          расходов           ¦      ¦  г. ¦  г. ¦  г. ¦  г. ¦  г.  ¦
   +-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
   ¦Всего,                       ¦345700¦19157¦71150¦53560¦89540¦112293¦
   ¦из них: Республика Беларусь  ¦142200¦   - ¦22803¦20074¦39490¦ 59833¦
   ¦        Российская Федерация,¦203500¦19157¦48347¦33486¦50050¦ 52460¦
   ¦в том числе:                 ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   +-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
   ¦Средства бюджета Союзного    ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   ¦государства                  ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   ¦всего,                       ¦132207¦19157¦45900¦20150¦26984¦ 20016¦
   ¦из них: Республика Беларусь  ¦ 39807¦   - ¦15103¦ 8664¦ 8484¦  7556¦
   ¦        Российская Федерация ¦ 92400¦19157¦30797¦11486¦18500¦ 12460¦
   +-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
   ¦Внебюджетные средства        ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   ¦всего,                       ¦213493¦   - ¦25250¦33410¦62556¦ 92277¦
   ¦из них: Республика Беларусь  ¦102393¦   - ¦ 7700¦11410¦31006¦ 52277¦
   ¦        Российская Федерация ¦111100¦   - ¦17550¦22000¦31550¦ 40000¦
   L-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-------
       Примечание.  Расчет расходов на Подпрограмму произведен  во  II
   квартале 2002 г.
   
                  9. Система программных мероприятий
                 и ресурсное обеспечение Подпрограммы
   
                                                            Таблица 2
   -------------------T------------T--------T-----------------------------------------------------T------T--------------------------¬
   ¦Наименование      ¦Организация-¦Сроки   ¦Сметная стоимость работ по годам                     ¦Рас-  ¦Основные полученные или   ¦
   ¦работ Подпрограммы¦исполнитель ¦выполне-¦(до 2004 г. включительно), тыс. руб.                 ¦преде-¦ожидаемые результаты      ¦
   ¦                  ¦            ¦ния     +-----------------------------------------------------+ление ¦за 2000 - 2002 гг.        ¦
   ¦                  ¦            ¦(год,   ¦Всего   ¦В том числе:                                ¦бюдже-¦Основные ожидаемые        ¦
   ¦                  ¦            ¦квартал)¦за      +-----------------------------------T--------+тного ¦результаты                ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦2000 -  ¦бюджет Союзного государства        ¦Внебюд- ¦финан-¦на 2003 - 2004 гг.        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦2004    +-----T-----T----T-----T-----T------+жетные  ¦сиро- ¦                          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦гг.     ¦2000 ¦2002 ¦2003¦2003 ¦2004 ¦Всего ¦средства¦вания,¦                          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦-    ¦г.   ¦г.  ¦г.   ¦г.   ¦за    ¦за      ¦тыс.  ¦                          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦2001 ¦     ¦План¦Пред-¦Пред-¦2000 -¦2000 -  ¦руб., ¦                          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦гг.  ¦     ¦    ¦ложе-¦ложе-¦2004  ¦2004    ¦РФ/РБ ¦                          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦Факт ¦     ¦    ¦ние  ¦ние  ¦гг.   ¦гг.     ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦         1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ                                                                         ¦
   +------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
   ¦1.1. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 52998  ¦ 8800¦ 2370¦1800¦ 4068¦ 4731¦ 19969¦ 33029  ¦13146/¦Микросхема 16-разрядного  ¦
   ¦серии 16-ти       ¦"Интеграл", ¦III кв.;¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 6823 ¦микроконтроллера с        ¦
   ¦разрядных         ¦ОАО         ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦RISC-архитектурой.        ¦
   ¦микроконтроллеров ¦"Ангстрем"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработан эскизный       ¦
   ¦для систем        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект. Изготовлены       ¦
   ¦цифровой обработки¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦и исследованы             ¦
   ¦сигналов и        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦комплекта         ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будет разработана рабочая ¦
   ¦программно -      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦КД, ТД, проект ТУ.        ¦
   ¦аппаратных        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦средств, в том    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦числе для системы ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Микросхемы                ¦
   ¦"ГЛОНАСС", включая¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦приемопередатчика         ¦
   ¦1806ВМ3 и 1806ВМ4.¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦манчестерского кода,      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦автокомпенсатора,         ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦нерекурсивного цифрового  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦фильтра.                  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлены и исследованы ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Начата разработка рабочей ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦КД и ТД.                  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Микросхемы 6-канального   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦цифрового коррелятора     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦обработки                 ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦радионавигационных        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦сигналов                  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"ГЛОНАСС/НАВСТАР",        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦КМОП 16-разрядного        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦процессора обработки чисел¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦с фиксированной запятой,  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦32-разрядного сопроцессора¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦обработки чисел с         ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦плавающей запятой.        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлены и исследованы ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны рабочая КД,   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТД, проект ТУ.            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Все разработанные изделия ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦будут поставлены на       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦серийное производство.    ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.2. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 34277  ¦ 4990¦ 2800¦2827¦ 1960¦ 1570¦ 11320¦ 22957  ¦ 3245/¦Серия стандартных линейных¦
   ¦серии стандартных ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 8075 ¦интегральных микросхем    ¦
   ¦линейных микросхем¦ОАО "НИИМЭ  ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦(аналоги LM117, LM158,    ¦
   ¦(ан. LM117, LM158,¦и Микрон"   ¦II кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦LM193, LM124, LM139,      ¦
   ¦LM193 и др.).     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦MC78XX, MC79XX).          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлены и исследованы ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны рабочая КД и  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТД, проект ТУ.            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изделия будут поставлены  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на серийное производство. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.3. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 23991  ¦ 4509¦  950¦   -¦  911¦ 1870¦  8240¦ 15751  ¦ 1773/¦Микросхема 8-разрядного   ¦
   ¦контроллеров ЖКИ  ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 6467 ¦микроконтроллера          ¦
   ¦для устройств     ¦            ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦с системой команд         ¦
   ¦отображения       ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦семейства MSC-51 и        ¦
   ¦информации средней¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦встроенным драйвером ЖКИ. ¦
   ¦и большой         ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлены и исследованы ¦
   ¦информативности.  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны рабочая КД и  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТД, проект ТУ.            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Микросхемы драйверов      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                  2       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦сегментных ЖКИ с I C      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦интерфейсом (аналоги      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦PCF8576, PCF8577).        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработан технический    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект. Изготовлены и     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦исследованы               ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут разработаны рабочая ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦КД и ТД, проект ТУ.       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Все разработанные изделия ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦будут поставлены на       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦серийное производство.    ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.4. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦ 14123  ¦ 2520¦ 3200¦   -¦    -¦    -¦  5720¦  8403  ¦ 5720/¦Контроллеры ЖКИ для       ¦
   ¦контроллеров ЖКИ  ¦"Ангстрем"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦устройств отображения     ¦
   ¦для устройств     ¦            ¦2002 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦информации с техническими ¦
   ¦отображения       ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦характеристиками,         ¦
   ¦информации с      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦соответствующими аналогам ¦
   ¦техническими      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦SED1670, 1606.            ¦
   ¦характеристиками, ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны и исследованы ¦
   ¦соответствующими  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦аналогам SED1670, ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны рабочая КД и  ¦
   ¦1606.             ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТД, проект ТУ.            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлены опытные       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦образцы. Изделия          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦поставлены на серийное    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦производство.             ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.5. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦ 15664  ¦ 2860¦  520¦   -¦ 2964¦    -¦  6344¦  9320  ¦ 6344/¦Серия микросхем КМОП БМК  ¦
   ¦серии микросхем   ¦"Ангстрем"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦с количеством вентилей 10,¦
   ¦КМОП БМК с        ¦            ¦2003 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦30, 60 и 100 тысяч.       ¦
   ¦количеством       ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны и исследованы ¦
   ¦вентилей 10, 30,  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные образцы.¦
   ¦60 и 100 тысяч.   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны рабочая КД и  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТД, проект ТУ.            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изделие будет поставлено  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на серийное производство. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.6. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦ 18328  ¦ 1115¦    -¦   -¦ 1800¦ 4508¦  7423¦ 10905  ¦ 7423/¦Микросхемы аналого -      ¦
   ¦микросхем         ¦"Ангстрем"  ¦I кв.   ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦цифровых БиКМОП БМК.      ¦
   ¦аналого-цифровых  ¦            ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Начата разработка         ¦
   ¦БиКМОП БМК.       ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технического проекта.     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут разработаны и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦исследованы               ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦экспериментальные         ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦образцы. Будут разработаны¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦рабочая КД и ТД, проект   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТУ. Будут изготовлены и   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изделие будет поставлено  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на серийное производство. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.7. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦ 11983  ¦ 2570¦  976¦   -¦  500¦  807¦  4853¦  7130  ¦ 4853/¦БИС СОЗУ емкостью 1М      ¦
   ¦КМОП статических  ¦"Ангстрем", ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦(128Кх8).                 ¦
   ¦ОЗУ емкостью      ¦ОАО "НИИМЭ  ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработан технический    ¦
   ¦1Мбит.            ¦и Микрон"   ¦II кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект. Разработаны       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦рабочая КД и ТД,          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект ТУ.                ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изделие будет поставлено  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на серийное производство. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.8. Разработка   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦серии стандартных ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦аналоговых        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦микросхем, в том  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦числе:            ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.8.1. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ  ¦2000 г. ¦  3901  ¦ 1580¦    -¦   -¦    -¦    -¦  1580¦  2321  ¦ 1580/¦Разработана архитектура   ¦
   ¦КМОП АЦП и        ¦и Микрон"   ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦КМОП АЦП и                ¦
   ¦быстродействующих ¦            ¦2001 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦быстродействующих 10 и    ¦
   ¦10 и 12-разрядных ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦12-разрядных АЦП          ¦
   ¦АЦП конвейерного  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦конвейерного типа.        ¦
   ¦типа.             ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Примечание. Работы        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦прекращены по причине     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦дублирования с ОКР,       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦выполняемыми в рамках     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦государственного          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦оборонного заказа.        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Полученные результаты     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦используются при          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦выполнении ОКР "Ириска"   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦и др.                     ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦1.8.2. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ  ¦2000 г. ¦   815  ¦  330¦    -¦   -¦    -¦    -¦   330¦   485  ¦  330/¦Разработаны архитектура и ¦
   ¦ряда КМОП         ¦и Микрон"   ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦эскизные электрические    ¦
   ¦малошумящих       ¦            ¦2001 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦схемы КМОП малошумящих    ¦
   ¦быстродействующих ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦быстродействующих         ¦
   ¦операционных      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦операционных усилителей,  ¦
   ¦усилителей.       ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проведено предварительное ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦моделирование.            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Примечание. Работа        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦прекращена по причине     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦недостаточности           ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦финансирования и будет    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦продолжена с 2004 года    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦в рамках новой программы  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Союзного государства      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"База-2".                 ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦       2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ                                                                       ¦
   +------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
   ¦2.1. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦       -¦    -¦    -¦   -¦    -¦    -¦     -¦       -¦     -¦Работа не выполнялась     ¦
   ¦комплекта         ¦"Ангстрем"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦из-за потери актуальности ¦
   ¦32-разрядных      ¦            ¦2000 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на этапе разработки ТЗ.   ¦
   ¦процессоров и     ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦периферийных схем ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦с RISC -          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦архитектурой с    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦характеристиками, ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦соответствующими  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦аналогам R3000    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦(R3010) ф. IDT и  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦80860 ф. INTEL.   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.2. Разработка и ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 15952  ¦ 4380¦ 1000¦1920¦ 1920¦-    ¦  7300¦  8652  ¦ 2808/¦Быстродействующие КМОП    ¦
   ¦освоение          ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 4492 ¦логические ИС, устойчивые ¦
   ¦быстродействующих ¦            ¦2003 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦к спецфакторам (аналоги   ¦
   ¦КМОП логических   ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦серии 54АСТ, 40 типов).   ¦
   ¦ИС, устойчивых к  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны рабочая КД и  ¦
   ¦спецфакторам      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦ТД, проект ТУ.            ¦
   ¦(аналоги серии    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлены и испытаны    ¦
   ¦54АСТ, 40 типов). ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦опытные образцы.          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будет проведена           ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦корректировка КД, ТД,     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проекта ТУ. Изделие будет ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦поставлено на серийное    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦производство.             ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.3. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦       -¦    -¦    -¦   -¦    -¦    -¦     -¦       -¦     -¦Работа не выполнялась     ¦
   ¦низковольтных КМОП¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦из-за потери актуальности ¦
   ¦логических ИС,    ¦            ¦2000 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на этапе разработки ТЗ.   ¦
   ¦устойчивых к      ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦спецфакторам      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦(аналоги серии    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦54/LVXXX).        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.4. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦       -¦    -¦    -¦   -¦    -¦    -¦     -¦       -¦     -¦Работа не выполнялась     ¦
   ¦КМОП логических   ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦из-за потери актуальности ¦
   ¦ИС, устойчивых к  ¦            ¦2000 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на этапе разработки ТЗ.   ¦
   ¦спецфакторам      ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦(аналоги серии    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦54HCXXX).         ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.5. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦       -¦    -¦    -¦   -¦    -¦    -¦     -¦       -¦     -¦Работа не выполнялась     ¦
   ¦элементной базы   ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦из-за потери актуальности ¦
   ¦КМОП логических   ¦            ¦2000 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на этапе разработки ТЗ.   ¦
   ¦ИС, устойчивых к  ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦спецфакторам      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦(аналоги серии    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦4000В).           ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.6. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦ 17789  ¦  950¦  630¦   -¦ 3156¦ 2469¦  7205¦ 10584  ¦ 7205/¦БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М. ¦
   ¦БИС КМОП ПЗУ      ¦"Ангстрем"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦Разработан технический    ¦
   ¦емкостью 2М.      ¦            ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект. Разработаны       ¦
   ¦                  ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦рабочая КД и ТД,          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект ТУ.                ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изделие будет поставлено  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на серийное производство. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.7. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 10336,4¦ 1260¦  900¦   -¦  967¦  900¦  4027¦  6309,4¦  995/¦КМОП СБИС постоянного     ¦
   ¦КМОП СБИС         ¦"Интеграл"  ¦I кв.   ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 3032 ¦масочного запоминающего   ¦
   ¦постоянного       ¦            ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦устройства емкостью 1М,   ¦
   ¦масочного         ¦            ¦II кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦устойчивого к             ¦
   ¦запоминающего     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦спецфакторам.             ¦
   ¦устройства        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработан технический    ¦
   ¦емкостью 1М,      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект. Разработаны       ¦
   ¦устойчивого к     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦рабочая КД и ТД,          ¦
   ¦спецфакторам.     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проект ТУ.                ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут изготовлены и       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦испытаны опытные образцы. ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изделие будет поставлено  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦на серийное производство. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦2.8. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦  2840  ¦ 1150¦    -¦   -¦    -¦    -¦  1150¦  1690  ¦  550/¦Разработан функциональный ¦
   ¦библиотеки        ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦  600 ¦состав и схемы            ¦
   ¦элементов         ¦ОАО "НИИМЭ  ¦2001 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦электрические библиотечных¦
   ¦специализированных¦и Микрон"   ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦элементов.                ¦
   ¦заказных БИС.     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Примечание. Выполнение    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания прекращено в связи¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦с началом работ по        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦направлениям 16, 42       ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦раздела II российской ФЦП ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Национальная             ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технологическая база".    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Полученные при выполнения ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания результаты        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦используются при          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проведении этих работ и   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦соответствующих НИОКР     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦по белорусской            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦национальной программе    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Белэлектроника".         ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦     3. ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ                                                                    ¦
   +------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
   ¦3.1. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 17271  ¦  290¦  950¦   -¦  820¦ 2000¦  4060¦ 13211  ¦  522/¦Разработан технологический¦
   ¦технологии и      ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 3538 ¦маршрут. Проведены        ¦
   ¦конструкции       ¦            ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технологические           ¦
   ¦элементной базы   ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦исследования и определена ¦
   ¦для изготовления  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦структура технологических ¦
   ¦КМОП универсальных¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦процессов.                ¦
   ¦микроконтроллеров ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будет разработана опытная ¦
   ¦с 0,8 мкм         ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технология. Будут         ¦
   ¦проектной нормой. ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проведены опытные партии. ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.2. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 13975  ¦ 3450¦  964¦1246¦ 1246¦    -¦  5660¦  8315  ¦ 2033/¦Проведены технологические ¦
   ¦технологии и      ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 3627 ¦исследования и определена ¦
   ¦библиотеки        ¦            ¦2003 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦структура технологических ¦
   ¦проектирования    ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦процессов.                ¦
   ¦микроконтроллеров ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработана опытная       ¦
   ¦с RISC -          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технология.               ¦
   ¦архитектурой с    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будут проведены опытные   ¦
   ¦0,8 мкм проектными¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦партии.                   ¦
   ¦нормами.          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.3. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦  2765  ¦ 1120¦    -¦   -¦    -¦    -¦  1120¦  1645  ¦  170/¦Разработан технологический¦
   ¦конструкции и     ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦  950 ¦маршрут изготовления      ¦
   ¦технологии        ¦            ¦2001 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦тестового кристалла.      ¦
   ¦изготовления      ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработаны типовая       ¦
   ¦элементной базы   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦структура и правила       ¦
   ¦БиКМОП СБИС с     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проектирования тестового  ¦
   ¦0,8 - 1,0 мкм     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦БиКМОП кристалла.         ¦
   ¦проектными        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Примечание. Выполнение    ¦
   ¦нормами.          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания прекращено в связи¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦с началом работ по        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦направлению 15 раздела II ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦российской ФЦП            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Национальная             ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технологическая база".    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Полученные при выполнения ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания результаты        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦используются при          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проведении этих работ и   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦соответствующих НИОКР     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦по белорусской            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦национальной программе    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Белэлектроника".         ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.4. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 25242  ¦10223¦    -¦   -¦    -¦    -¦ 10223¦ 15019  ¦ 9920/¦Разработан проект базового¦
   ¦технологии        ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦  303 ¦технологического маршрута ¦
   ¦структур СБИС с   ¦ОАО         ¦2001 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦изготовления тестового    ¦
   ¦топологическими   ¦"Ангстрем", ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦кристалла уровня 0,5 мкм, ¦
   ¦нормами до        ¦ОАО         ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦осуществлено              ¦
   ¦0,5 мкм.          ¦"НИИМЭ и    ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проектирование тестового  ¦
   ¦                  ¦Микрон"     ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦кристалла, изготовлены    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦образцы пластин с         ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦тестовыми кристаллами     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦уровня 0,5 мкм.           ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Примечание. Выполнение    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания прекращено в связи¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦с началом аналогичных     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦работ по направлению 15   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦раздела II российской ФЦП ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Национальная             ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технологическая база".    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Полученные при выполнения ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания результаты        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦используются при          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проведении этих работ и   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦соответствующих НИОКР     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦по белорусской            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦национальной программе    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Белэлектроника".         ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.5. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦ 35347  ¦ 7760¦    -¦   -¦ 5378¦ 1161¦ 14299¦ 21048  ¦12399/¦Разработан технологический¦
   ¦конструкции и     ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦ 1900 ¦маршрут, разработаны      ¦
   ¦технологии        ¦ОАО         ¦2004 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦типовая структура         ¦
   ¦элементной базы   ¦"НИИМЭ и    ¦II кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦биполярной высоковольтной ¦
   ¦аналоговых        ¦Микрон"     ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦(до 40В) ИС и правила     ¦
   ¦высоковольтных ИС ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проектирования тестового  ¦
   ¦и технологии      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦кристалла. Разработаны    ¦
   ¦формирования      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦состав тестовой матрицы,  ¦
   ¦структур типа     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦топология тестовой        ¦
   ¦кремний на        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦матрицы, ЭКД и ЭТД.       ¦
   ¦изоляторе для     ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Изготовлен комплект       ¦
   ¦расширенного      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦фотошаблонов, изготовлены ¦
   ¦класса СБИС,      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦эпитаксиальные структуры. ¦
   ¦включая           ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработан технологический¦
   ¦высоковольтные.   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦маршрут формирования      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦структур типа кремний на  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦изоляторе для расширенного¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦класса СБИС, включая      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦высоковольтные.           ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будет разработана опытная ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технология формирования   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦структур типа кремний на  ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦изоляторе для расширенного¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦класса СБИС, включая      ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦высоковольтные.           ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.6. Разработка   ¦ОАО "НИИМЭ  ¦2000 г. ¦ 14787  ¦ 2870¦ 3120¦   -¦    -¦    -¦  5990¦  8797  ¦ 5990/¦Разработаны               ¦
   ¦технологических   ¦и Микрон"   ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦технологические процессы  ¦
   ¦процессов         ¦            ¦2002 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦нанесения диэлектрических ¦
   ¦нанесения         ¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦покрытий и планаризации   ¦
   ¦диэлектрических   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦поверхности пластин в     ¦
   ¦покрытий и        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦обеспечение разработки    ¦
   ¦планаризации      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦производства СБИС с       ¦
   ¦поверхности       ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦субмикронными проектными  ¦
   ¦пластин в         ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦нормами.                  ¦
   ¦обеспечение       ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦разработки и      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦производства СБИС ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦с субмикронными   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦проектными        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦нормами.          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.7. Разработка   ¦ОАО         ¦2000 г. ¦ 12723  ¦ 2090¦ 1770¦   -¦ 1294¦    -¦  5154¦  7569  ¦ 5154/¦Разработан                ¦
   ¦технологии        ¦"НИИМЭ и    ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦технологический маршрут.  ¦
   ¦глобальной        ¦Микрон"     ¦2003 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Проведены технологические ¦
   ¦планаризации      ¦            ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦исследования. Проведены   ¦
   ¦топологического   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦опытные партии,           ¦
   ¦рельефа при       ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦изготовлены и исследованы ¦
   ¦изготовлении СБИС ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦опытные образцы структур с¦
   ¦с проектными      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦глобально планаризованными¦
   ¦нормами 0,5 мкм и ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦слоями диэлектриков.      ¦
   ¦менее на основе   ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будет разработана         ¦
   ¦применения        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦техническая документация. ¦
   ¦процесса          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Будет проведена аттестация¦
   ¦химико -          ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технологических процессов.¦
   ¦механической      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦полировки.        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦3.8. Разработка   ¦НПО         ¦2000 г. ¦   593  ¦  240¦    -¦   -¦    -¦    -¦   240¦   353  ¦  240/¦Исследованы процессы      ¦
   ¦технологического  ¦"Интеграл"  ¦III кв. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦     -¦планаризации рельефа при  ¦
   ¦процесса создания ¦            ¦2001 г. ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦формировании многослойной ¦
   ¦блока многослойной¦            ¦IV кв.  ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦металлизации ИС на основе ¦
   ¦(3 - 4 слоя)      ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦жидких стекол, наносимых  ¦
   ¦металлизированной ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦методом центрифугирования.¦
   ¦разводки с        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Разработан технологический¦
   ¦использованием    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦маршрут и проведена       ¦
   ¦технологии        ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦подготовка к изготовлению ¦
   ¦планаризации с    ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦опытных образцов.         ¦
   ¦жидкими стеклами. ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Примечание. Выполнение    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания прекращено в связи¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦с началом работ по        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦направлению 15 раздела II ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦российской ФЦП            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Национальная             ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦технологическая база".    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦Полученные при выполнения ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦задания результаты        ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦используются при          ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦проведении этих работ и   ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦соответствующих НИОКР     ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦по белорусской            ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦национальной программе    ¦
   ¦                  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦    ¦     ¦     ¦      ¦        ¦      ¦"Белэлектроника".         ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦Всего, в т.ч.:    ¦            ¦        ¦345700  ¦65057¦20150¦7793¦26984¦20016¦132207¦213493  ¦      ¦                          ¦
   ¦РФ                ¦            ¦        ¦203500  ¦49954¦11486¦   -¦18500¦12460¦ 92400¦111100  ¦      ¦                          ¦
   ¦РБ                ¦            ¦        ¦142200  ¦15103¦ 8664¦7793¦ 8484¦ 7556¦ 39807¦102393  ¦      ¦                          ¦
   +------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
   ¦Требуется         ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦                ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦дополнительно на  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦                ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦2003 - 2004 гг.:  ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦     38516      ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦РФ                ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦     30960      ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   ¦РБ                ¦            ¦        ¦        ¦     ¦     ¦      7556      ¦      ¦        ¦      ¦                          ¦
   L------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----------------+------+--------+------+---------------------------
       Примечание.  1.  Корректировка  Подпрограммы  осуществляется  в
   обоснованных случаях в установленном порядке.
   
       Использование  научно-технической  продукции,  полученной   при
   реализации   мероприятий  данной  Подпрограммы,  осуществляется   в
   порядке,  устанавливаемом  нормативными правовыми  актами  Союзного
   государства   по   урегулированию   вопросов,   касающихся    права
   собственности   на   результаты  научно-технической   деятельности,
   полученные в ходе выполнения совместных ОКР.
       До  принятия нормативных правовых актов Союзного государства  в
   области    охраны   интеллектуальной   собственности   патентование
   совместно  созданных  результатов новых  научных  разработок  будет
   производиться  исходя  из  доли  вклада  российских  и  белорусских
   специалистов  в  их  достижение и с учетом законодательства  стран-
   участников, регулирующего права собственности на результаты научно-
   технической деятельности.
       До   принятия  нормативных  правовых  актов  по  управлению   и
   распоряжению  имуществом Союзного государства порядок использования
   опытных  и  экспериментальных образцов оборудования, созданных  при
   выполнении   Подпрограммы,  будет  определяться  исходя   из   доли
   отчислений   Российской  и  Белорусской  Сторон  на  финансирование
   Подпрограммы из бюджета Союзного государства.
   
             10. Паспорт Подпрограммы Союзного государства
       "Разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых,
           аналоговых интегральных микросхем для аппаратуры
            специального назначении и двойного применения"
                         (уточненная редакция)
   
   Наименование        "Создание и серийное производство
   основной            автоматизированных систем управления, бортовой
   Программы           радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой
                       радио- и электротехники".
   
   Уровень, дата и
   номер решений:
   
   о разработке        Перечень межгосударственных совместных
   основной            программ, одобренный Решением Исполкома
   Программы;          Сообщества Беларуси и России от 4 сентября
                       1996 г. (приложение N 1 к Протоколу N 4,
                       раздел III, п. 18).
   об утверждении
   основной Программы.
   
   Наименование        "Разработка и освоение серий цифровых,
   Подпрограммы        цифро-аналоговых, аналоговых интегральных
                       микросхем для аппаратуры специального
                       назначения и двойного применения".
   
   Уровень, дата и
   номер решений:
   
   о разработке        Протокол совместного совещания представителей
   Подпрограммы;       Минпрома Беларуси, Миноборонпрома России и
                       Исполнительного Комитета Сообщества Беларуси и
                       России от 24.01.1997 г.
   
   об утверждении      Постановление Исполкома Союза Беларуси и
   Подпрограммы;       России от 12 февраля 1999 г. N 2.
   
   об утверждении      Постановление Совета Министров Союзного
   предложения по      государства от "__" __________ 2003 г. N ___.
   продлению на
   один год срока
   реализации
   Подпрограммы и
   по ее изменению
   
   Государственный     Министерство промышленности, науки и
   заказчик -          технологий Российской Федерации.
   координатор
   
   Государственный     Министерство промышленности Республики
   заказчик            Беларусь.
   
   Основные            Головной исполнитель - научно-техническая
   разработчики        ассоциация "Субмикро",
   и исполнители       генеральный директор Петухов Анатолий Евсеевич
   Подпрограммы        - руководитель Подпрограммы;
                       124482, Москва, Зеленоград, корп. 313А,
                       тел. (095) 536-5011, факс (095) 536-6934.
                       Исполнители:
                       от Республики Беларусь: УП "Белмикросистемы"
                       НПО "Интеграл" (г. Минск);
                       от Российской Федерации: ОАО "Ангстрем", ОАО
                       "НИИМЭ и Микрон" (г. Москва).
   
   Цели и задачи       Разработка и освоение серий цифровых,
   Подпрограммы,       цифро-аналоговых, аналоговых микросхем для
   важнейшие целевые   приоритетных отраслей промышленности, бытовой
   показатели          техники и аппаратуры специального и двойного
                       назначения.
                       Разработка микросхем для изделий спецтехники,
                       включая интегральные схемы повышенной
                       устойчивости к специальным факторам,
                       повышенной помехозащищенности и надежности, в
                       соответствии с реализуемыми и перспективными
                       программами создания систем вооружений и
                       военной техники (включая автоматизированные
                       системы управления и специальную бортовую
                       аппаратуру).
                       Разработка ряда новых технологий для создания
                       электронной элементной базы.
   
   Сроки и этапы       Выполнение всех заданий Подпрограммы
   реализации          планируется на период со II кв. 2000 г.
   Подпрограммы        по IV кв. 2004 г.
                       На первом этапе разрабатываются комплекты
                       эскизной конструкторской и технологической
                       документации (ЭКД, ЭТД), изготавливаются
                       экспериментальные образцы.
                       На втором этапе планируется изготовление
                       опытных образцов, комплектов КД и ТД.
                       На третьем этапе планируется серийное освоение
                       разработанных изделий и технологических
                       процессов.
   
   Перечень            Раздел 1 "Разработка и освоение серий
   составных частей    цифровых, аналоговых и цифро-аналоговых
   Подпрограммы        интегральных микросхем двойного применения",
   и основных          в том числе 16- и 32-разрядных процессоров и
   мероприятий,        микроконтроллеров, специализированных БИС ЦОС,
   их исполнители,     контроллеров ЖКИ, стандартных линейных
   сроки реализации    микросхем, БМК от 10 до 100К вентилей,
                       аналого-цифровых матриц на основе КМОП
                       технологий, операционных усилителей.
                       УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл",
                       ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
                       2000 - 2004 гг.
                       Раздел 2 "Разработка и освоение серий
                       цифровых, аналоговых и цифро-аналоговых
                       интегральных микросхем специального
                       назначения", в том числе серий стандартных
                       цифровых логических интегральных схем, 1М и 2М
                       КМОП СБИС ПЗУ, устойчивых к специальным
                       факторам.
                       УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
                       "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
                       2000 - 2004 гг.
                       Раздел 3: "Разработка технологии создания
                       электронной элементной базы".
                       УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
                       "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
                       2000 - 2004 гг.
   
   Объемы и основные   Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет
   источники           средств бюджета Союза Беларуси и России и
   финансирования,     Союзного государства, а на 61,8% - за счет
   направления         внебюджетных средств.
   расходования        Средства бюджета Союза Беларуси и России и
   финансовых          Союзного государства направляются на
   средств.            выполнение ОКР.
   Всего, в т.ч.       Внебюджетные средства направляются на
   по годам            обеспечение выполнения ОКР и на внедрение их
                       результатов в производство на предприятиях -
                       исполнителях Подпрограммы.
   
                                               тыс. российских рублей
   ------------------------------T------T-----T-----T-----T-----T------¬
   ¦   Объемы и распределение    ¦Всего ¦2000 ¦2001 ¦2002 ¦2003 ¦ 2004 ¦
   ¦          расходов           ¦      ¦ г.  ¦ г.  ¦ г.  ¦ г.  ¦  г.  ¦
   +-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
   ¦Всего,                       ¦345700¦19157¦71150¦53560¦89540¦112293¦
   ¦из них: Республика Беларусь  ¦142200¦    -¦22803¦20074¦39490¦ 59833¦
   ¦        Российская Федерация,¦203500¦19157¦48347¦33486¦50050¦ 52460¦
   ¦в том числе:                 ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   +-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
   ¦Средства бюджета Союзного    ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   ¦государства                  ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   ¦всего,                       ¦132207¦49157¦45900¦20150¦26984¦ 20016¦
   ¦из них: Республика Беларусь  ¦ 39807¦    -¦15103¦ 8664¦ 8484¦  7556¦
   ¦        Российская Федерация ¦ 92400¦19157¦30797¦11486¦18500¦ 12460¦
   +-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
   ¦Внебюджетные средства        ¦      ¦     ¦     ¦     ¦     ¦      ¦
   ¦всего,                       ¦213493¦    -¦25250¦33410¦62556¦ 92277¦
   ¦из них: Республика Беларусь  ¦102393¦    -¦ 7700¦11410¦31006¦ 52277¦
   ¦        Российская Федерация ¦111100¦    -¦17550¦22000¦31550¦ 40000¦
   L-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-------
   
   Конечные            Разработка, организация производства и
   результаты          поставки серий новых микросхем для систем
   реализации          вооружений и военной техники, приоритетных
   Подпрограммы,       отраслей промышленности (машиностроения,
   сроки возвратности  средств связи и телекоммуникаций, бытовой
   средств             техники и др.). Сроки окупаемости в
                       зависимости от типа изделия составят от 2 до 4
                       лет.
   
   Система             Работы головного исполнителя и исполнителей
   организации и       Подпрограммы организуют и контролируют
   контроля за         Государственный заказчик-координатор и
   исполнением         Государственный заказчик. Общий контроль
   Подпрограммы        осуществляет Постоянный Комитет Союзного
                       государства.
   
   


Семерочка Правовые и нормативные акты России
  Региональное и федеральное законодательство России


 
Популярные новости
Статистика
Рейтинг@Mail.ru







© 2008-2014 . Все права защищены.
При использовании материалов Российского Правового Портала "Семерка" ссылка на 7Law.info обязательна